2月06日(火) 　AndTech「EUVリソグラフィ技術と半導体微細化に向けた最新動向」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定

• Live配信・WEBセミナー講習会　概要

テーマ：EUVリソグラフィ技術と半導体微細化に向けた最新動向

～レジスト・光源・フォトマスクブランクス・塗布現象装置の変遷と開発動向～

開催日時：2024年02月06日(火) 10:00-16:30

参 加 費：66,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ee5b4ec-ba0f-6fea-b05d-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

• セミナー講習会内容構成

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　ープログラム・講師ー

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第1部  高出力EUV光源の開発

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講師 九州大学　客員教授(元ギガフォトン株式会社 シニアフェロー）　溝口　計　氏

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第2部 EUVリソグラフィと露光装置

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講師 東京工業大学　物質・情報卓越教育院 産学協創教育コーディネータ　鈴木　一明　氏

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第3部 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷と現在の開発課題

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講師 富士フイルム株式会社　エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート　藤森　亨　氏

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第4部 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置・プロセス技術

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講師 東京エレクトロン株式会社　CTSPS BU ／ シニアチーフエンジニア（Senior Director）　永原　誠司　氏

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第5部  EUV露光用フォトマスクブランクスの開発と量産化に向けた取り組み

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講師 AGC株式会社　電子カンパニー 電子部材事業本部 アドバンストマテリアル事業部 ブランクス部 / マネージャー　羽根川　博　氏

• 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

短波長光源技術、レーザー技術、シミュレーション技術の応用

半導体露光装置の歴史、投影露光装置の構成と性能、EUV露光装置の特徴、部分的コヒーレンス理論

リソグラフィ用フォトレジストとはなんぞや。

最先端EUVリソグラフィ用フォトレジスト実用化への変遷および現在の課題と解決事例。

EUVレジストプロセス、レジスト塗布現像技術、最先端レジストプロセス技術開発動向

EUVマスクブランクスの基礎知識、次世代EUVマスクブランクスの開発展望

• 本セミナーの受講形式

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

• 株式会社AndTechについて

　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

　　https://andtech.co.jp/

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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

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• 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

• 下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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第1部  高出力EUV光源の開発

【講演主旨】

最先端リソグラフィのフラグシップが短波長化による微細化で一律にツールが切り変わっていた時代から、複数のアプローチが共存する時代となった。すなわち；

①ロジックデバイス、DRAM：EUVまたは液浸ArF多重露光による微細化

②NAND フラッシュメモリ：KrFエキシマ露光により3D 構造化し容量アップ。前工程のルート

③GPU などの Si オンチップデバイス：パッケージング工程の微細化により中工程（Middle End Process）と呼ばれる。 こうした中で最先端デバイスの製造に欠かせないEUV光源の最近の進展と将来の開発の方向性について解説する。

【プログラム】

1.　半導体の微細化とリソグラフィ光源の進歩

　1-1　微細化とリソグラフィの進化

　1-2　Rayleighの式と光源の短波長化の歴史

　1-3　DUV光源の狭帯域化と屈折投影光学系

　1-4 多重露光技術

　1-5　狭帯域化KrFエキシマレーザ

　1-6　狭帯域化ArFエキシマレーザ

2．EUVリソグラフィ

　2.1　 EUVリソグラフィと開発の経緯

　2.2    世界の露光装置開発と市場の現況

3．　高出力EUV光源の開発の経緯とコンセプト

4.    高出力EUV光源開発の進展

　4.1 　変換効率の向上

　4.2    高出力CO2レーザの開発19)20)

　4.3 　磁場デブリミチゲーション

5.　 量産向けEUV光源システムの開発

6.　おわりに

7. 参考文献

【質疑応答】

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第2部 EUVリソグラフィと露光装置

【講演主旨】

　半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の歴史を概観することで、専門外の方々にもわかりやすくEUV露光装置が登場するまでの流れを説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。最後にEUV露光装置の特徴について述べる。

【プログラム】

１．半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ

２．露光方式の進化

３．EUV露光装置のユニット構成

４．半導体露光装置の性能

（部分的コヒーレンス理論、解像度、解像度向上策、スループットを含む）

５．EUV露光装置の特徴

（多層膜ミラー、反射光学系、真空ステージを含む）

【質疑応答】

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第3部 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷と現在の開発課題

【講演主旨】

　微細加工に必要なリソグラフィ技術、それを実現するための材料であるフォトレジストは、長い歴史を経て、EUVリソグラフィの実現を迎えた。その歴史および技術的内容を整理することは、さらなる発展およびこれから従事する若手にとっても非常に重要である。EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷を解説し、現在では表に出てこない課題も振り返りながら、さらなる発展へとつなげていく機会としていただきたい。また、現在の本質課題であるストカスティック欠陥に関して、時間の許す限り紹介する。　

【プログラム】

１．リソグラフィ微細化の歴史

２．フォトレジスト材料の変遷（順番は前後する可能性あり）

　　　２－１.　光源にあわせて進化するレジスト材料、KrF用およびArF用化学増幅型レジスト

　　　２－２.　化学増幅型レジストのEUVリソグラフィへの適用

　　　２－３.　化学増幅型ネガティブトーンイメージング（ネガティブトーン現像）EUV-NTI

　　　２－４.　微細パターン対応を鑑みた低分子型レジスト

　　　２－５．非化学増幅型レジスト

　　　２－６．さらなる性能向上に立ちはだかる本質課題、ストカスティック欠陥

　　　２－７．レジストアウトガス

【質疑応答】

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第4部 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置・プロセス技術

【講演主旨】

　半導体デバイスの回路パターンの微細化はEUVリソグラフィ技術の進展により継続している。本講演では、EUVリソグラフィに用いるEUVレジストの塗布・現像技術の概要について説明する。EUVレジストプロセスの高解像性、低ラフネスを実用レベルに維持しつつ、レジストを高感度化し、EUVリソグラフィのスループットを上げる（コストを下げる）技術を紹介する。また、パターン倒れ、レジストスカム低減などパターン欠陥を減らしてデバイスの収率を上げるための方法も紹介する。

【プログラム】

1.　EUVレジストプロセスの課題

 1.1　デバイスとリソグラフィトレンド

 1.2　EUVリソグラフィのレジストプロセスの技術課題

2.　EUVレジスト塗布・現像技術の概要

 2.1　EUVリソグラフィ用レジスト塗布・露光・現像装置

 2.2　EUVレジスト塗布・露光・現像の基本的な流れ

3.　化学増幅型EUVレジスト対応塗布・現像技術

 3.1　化学増幅型レジストプロセスの優位点と課題

 3.2　化学増幅型レジストプロセスのレジスト倒壊防止技術

4.　メタルオキサイドレジスト（MOR）対応塗布・現像技術

 4.1　メタルオキサイドレジストの優位点と課題

 4.2　メタルオキサイドレジストのベーク技術

 4.3　メタルオキサイドレジストのパターニング技術

 4.4　メタルオキサイドレジストの新現像技術

 4.5　メタルオキサイドレジストによる微細パターン形成例

 4.6　レジストプロセス中の補助プロセスによるメタルオキサイドレジストの増感

【質疑応答】

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第5部  EUV露光用フォトマスクブランクスの開発と量産化に向けた取り組み

【講演主旨】

　EUVL(極端紫外光リソグラフィ)に用いられる露光光は波長13.5nm近傍の光であり、露光光に対して透明な物質は存在しない。そのため、マスクを含む露光システム内の光学系には、反射光学系が採用されており、マスクに求められる特性は透過型マスクと比較し大きく異なる。要求特性の大きな変化は、ブランクス構造の複雑さを生み、量産化に向けた大きなハードルとなっていた。本講演では、量産化に向けた取り組みと次世代ブランクスの開発の展望について、ご紹介させていただく。

【プログラム】

1.    EUVマスクブランクスの特徴と技術課題

2.    EUVマスクブランクス量産化に向けた取り組み

3.    次世代EUVマスクブランクスの開発

【質疑応答】

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上